SHPORA.net :: PDA

[ Back ]

Для получения кристаллографической информации о приповерхностных слоях материала

используется методика дифракции низкоэнергетических электронов. Так как

электроны малых энергий (10-100 эВ) проникают в образец неглубоко,

дифракционная картина отражает положение атомов в поверх¬ностном слое. Если в

образовании ди¬фракционной картины участвуют и другие слои атомов, вклад глубже

ле¬жащих слоев имеет меньшую интен¬сивность. Электронный пучок ведет себя как

волна и отражается от крис¬таллографических плоскостей анало¬гично

рентгеновскому пучку. Его дли¬на волны λ , называемая длиной волны де Бройля,

зависит от энергии Е, выра¬женной в электронвольтах, следующим образом:



Электроны низких энергий хорошо подходят для дифрак¬ционных методов измерения.

Другим способом определения постоянной ре¬шетки приповерхностного слоя явля¬ется

дифракция высокоэнергичных электронов под скользящими углами, при которых

проникновение луча под поверхность минимально. Когда θ в ус¬ловии Брэгга-Вульфа

мал, λ так же должна быть малой, а энергия Е, в со¬ответствии с (3.6), -

большой, отсюда и необходимость в электронах с высокой энергией при дифракции

под малы¬ми углами.