SHPORA.net :: PDA

[ Back ]

В полупроводниковых соединениях типа АIIIВV и АIIВVI, таких как GaAs и ZnS

со¬ответственно, атомы одного типа кристаллизуются в ГЦК решетку рис. 2.8б.

Такая решетка называется сфалеритом, цинковой обман¬кой или решеткой типа ZnS

рис. 2.9. На рисунке видно, что каждый атом цинка (светлый кружок) находится в

центре тетраэдра из атомов серы (темные кружки) и наобо¬рот, каждый атом серы

имеет в качестве ближайших соседей четыре атома цинка.

Кремний и германий кристаллизуются в такую же решетку, причем атомы этих веществ

занимают узлы обеих подрешеток, так что в элементарной ячейке оказываются восемь

одинаковых атомов. Такое расположение атомов, показан¬ное на рис. 2.8а,

называется алмазной решеткой. И кремний, и германий имеют валентность, равную

четырем, так что с точки зрения образования химических связей, четыре соседа в

вершинах правильного тетраэдра является оптимальной конфигурацией.



Рис. 2.8. Элементарная ячейка со структу¬рой алмаза (а), состоящая только из

одного типа атомов, и соответствующая элемен¬тарная ячейка со структурой

цинковой об¬манки (сфалерита) (б), состоящая из двух типов атомов. Стержнями

показаны тетраэдрические связи между ближайшими со¬седями. Меньший куб,

показанный пунк¬тирной линией на рисунке (б), ограничи¬вает один тетраэдр.



Рис. 2.9. Упаковка больших атомов серы и меньших атомов цинка в структуре

цин¬ковой обманке ZnS. Каждый атом распо¬ложен в центре тетраэдра из атомов

друго¬го типа.