SHPORA.net :: PDA

[ Back ]

Метод рентгеновской литографии иллюстрируется рис. 2.21.

Маска состоит из мембраны, про¬зрачной для рентгеновских лучей и под¬держивающей

пленку, которая имеет за-



Рис. 2.21. Схематическое изображение рентгеновской литографии



данный рисунок и сделана из материала, сильно поглощающего рентгеновские лу¬чи.

Эта маска располагается на подложке, покрытой радиационно-чувствительным

резистом. На определенном расстоянии от маски находится точечный источник

рентгеновского излучения, которое воз¬никает при взаимодействии

сфокусиро¬ванного электронного луча с мишенью. Рентгеновские лучи облучают

маску, соз¬давая соответствующие проекционные тени от поглотителя рентгеновских

лучей на полимерной пленке.

Это пока единственный способ экс¬понирования резиста рентгеновскими лу¬чами,

поскольку линз и зеркал для управ¬ления ими сделать нельзя. Вставка в кружке к

рис. 2.21 иллюстрирует величи¬ну полутени 8 рентгеновского луча, кото¬рая

является результатом конечного зна¬чения ширины d рентгеновского пучка, присущей

любому источнику рентгенов¬ского излучения. При каждой экспозиции величина 5

может быть уменьшена путем правильного выбора параметров. Полуте¬невое

изображение снижает четкость ли¬ний на фоторезисте и определяет мини¬мально

допустимую величину литографи¬ческого разрешения системы

,

где s - ширина зазора между фотошабло¬ном и подложкой.

Поскольку в рентгеновской литогра¬фии используемые длины волн составля¬ют 1 нм,

дифракционные эффекты пре¬небрежимо малы, и поэтому маску можно располагать на

некотором небольшом расстоянии от подложки.