SHPORA.net :: PDA

[ Back ]

Изотропное травление является од¬ним из самых известных и распростра¬ненных

способов локального микропро¬филирования. Характерная особенность изотропного

травления состоит в одина¬ковом воздействии во всех кристаллогра¬фических

направлениях. Этот процесс известен как подрезание (рис. 2.22 а, б), а также как

химическое полирование.

В качестве изотропных травителей используются травители на основе плави¬ковой и

азотной кислот. Медленный тра-витель содержит НNO3 : НF : СН3СООН (в соотношении

7 : 1 : 3) и применяется для получения мелких рельефов при ско¬рости травления

около 0,1 мкм/мин. Бы¬стрый травитель имеет такой же состав, но в соотношении 3

: 1 : 1 и служит для получения глубоких рельефов при скоро¬сти ~4...8 мкм/мин.

Скорость травления полупроводника зависит от большого числа факторов:

- типа травителя и его температуры;

- скорости отвода продуктов реакции и подвода реагентов к поверхности

полу¬проводника (т.е. скорость перемешивания травителя);

- наличия или отсутствия дефектов как в самом полупроводнике, так и в за¬щитной

маске, обеспечивающей локаль¬ность травления;

- испарения травителя, приводящего к изменению его концентрации, и т.д.

Большинство этих факторов плохо поддается контролю, и в результате

можетзамедлиться скорость травления, а в неко¬торых случаях (глубокие и узкие

каналы) оно может остановиться. Однако этот эф¬фект можно ликвидировать

перемешива¬нием травителя, делая в структурах почти точные и скругленные

поверхности, диа¬метр которых определяется по формуле (рис. 2.22, в)

D = 2(а + V/t),

где а - радиус отверстия в маске; V - ско¬рость травления; t- время травления.

Специфическая форма микропрофи¬ля, а также сложность обеспечения ло¬кальной

защиты от длительного воздейст¬вия травителя не позволяют рассматри¬вать

изотропное травление как перспек¬тивный способ микропрофилирования для

изготовления преобразователей.