SHPORA.net :: PDA

[ Back ]

Магниторезистор представляет собой полупроводниковый рези¬стор, основное свойство которого заключается в способности изменять свое электрическое сопротивление под действием магнитного поля.

Магниторезистивный эффект, или эффект Гаус¬са, заключается в изменении удельной проводимости полупроводни¬ка при изменении воздействующего на него магнитного поля.

Пластина полупроводника помещается во внешнее поперечное магнитное поле, и вдоль нее пропускается ток. Действие силы Лорен¬ца вызывает искривление траектории носителей заряда и приводит к удлинению пути, проходимого носителями между электродами, к ко¬торым приложено внешнее электрическое поле, что эквивалентно воз¬растанию удельного сопротивления полупроводника.

Увеличение сопротивления полупроводника происходит и когда магнитное поле направлено перпендикулярно направлению протека¬ния электрического тока, и когда направление магнитного поля параллельно направлению тока. В первом случае мы имеем дело с поперечным эффектом магнитосопротивления, получившем практическое применение. Второй случай носит название продольного эффекта магнитосо-противления. Практического применения он не нашел из-за слабого изменения сопротивления в магнитном поле.

Магнитосопротивление можно определить как раз¬ность между сопротивлением магниторезистора в магнитном поле Rв и без магнитного поля (начальное сопротивление). Начальное сопро¬тивление R0 определяется материалом и используемой конструк¬цией.