SHPORA.net :: PDA

[ Back ]

Тонкогшеночная технология - это совокупность способов получения и обработки тонких (0,01... 1 мкм, не свыше 3 мкм) пленок металлов, диэлектриков и полупроводников при изготовлении ИС, ПП — приборов, коммутационных соединений и монтажных площадок в микросхемах. Основу тонкоппеночных технологий составляют методы получения тонких пленок, которые можно выделить в три класса; • физические методы;

* о испар ение в в акууме (термиче ско е, эпектр онно-лучев о е, по ср едств ом эпектр онной б омб ардир овки, и др );

* о ионно е р аспыление (магнетр окно е, ионно лучев о е, и др.); химические методы;

* о электрохимическое осаждение;

* о осаждение из газовой фазьт с помощью химических реакций;

* о термиче ско е выр ащив ание;

* о анодирование; и др. комбинационные методы;

* о термоионное осаждение;

* о плазмохимическое осаждение;

* о газовое анодирование; и др.

Необходимая конфигурация тонкоппеночных элементов микросхем (их рисунок) создается осаждением через маски, фотолитографией, эпектронопитографией др. способами.

В качестве подложек обычно применяют пластинки из стекла, керамики, ситаппов, органических материалов, монокристаллов ПП и др. материалов. Требования подложкам для тонкоппеночных элементов микросхем:

• отсутствие пов ерхно стных и внутр енних (о бъ емных) де ф ектов;

Ф большое объемное и поверхностное удельное электрическое сопротивление;

• вьтс окая теппопр ов одно сть и термо стойко сть;

• вьтс окая механиче екая пр очно сть;

• идр.

Для получения тонких пленок на подложках промышпенно выпускается специальное технологическое оборудование, например: вакуумно-напыпитепьные установки термического испарения и ионного распыления и др. (вакуумная напыпигепьная техника).

Зшдечапие: основные электрические характеристики резистивных тонких пленок:

поверхностное сопротивление слоя; (10... 1000 Ом/кв);

температурный коэффициент сопротивления; (не свыше 10-4 К-1) Зшдечапие: размеры структурных дефектов в тонких пленках могут быть сравнимы с их толщиной, и поэтому существенно влиять на их свойства. Зшдечапие: послойное нанесение тонких пленок различных материалов с одновременным формированием в них пассивных и активных элементов, а также межсоединений, лежит в основе создания интегральных схем.